米バイデン政権、次世代トランジスタGAAと高帯域メモリHBM…中国への新規制が迫る
ジョー・バイデン（Joe Biden）アメリカ合衆国大統領が率いる米政府は、次世代トランジスタゲートオールアラウンド(GAA・Gate All Around)と高帯域幅メモリ(HBM)の中国規制カードを引き出す見込みだ。中国がAI半導体など最先端半導体技術へアクセスすることを阻止するため、各種輸出規制措置を実施している中でのことだ。 現地時間の11日、米国のメディアは、米政府がAIに使用される半導体技術へ中国がアクセスすることを阻止するために追加規制を検討していると一斉に報じた。 米政府の中国に対する輸出制限は、半導体の既存のトランジスタ構造であるフィンフェット(FinFET)の限界を克服できる次世代技術のGAAが最初の制限対象になる可能性が高いと見られている。 これに関連して、米商務省の産業安全保障局(BIS)は最近、GAA規制の初稿を業界専門家で構成された技術諮問委員会に送った。 これは、規制導入の最終手段だが、規制自体が最終的に確定されたものではない。 業界関係者たちは、GAAの初案が過度に広範囲であると批判したと伝えられている。 GAA規制が、中国の自主的なGAAチップ開発能力を制限することに焦点を当てているのか、それとも米半導体企業をはじめ、サムスン電子や台湾TSMCなどの海外企業による対中国輸出の規制までも含まれるのか、現時点では不明だ。 米国政府は、潜在的な規則の範囲を決定する過程であり、最終的な規制がいつ決定されるかはまだ決まっていない。 情報を提供した関係者たちは、「米政府の目標は、中国がAIモデルを構築・運用するために必要な精巧なコンピューティングシステムを開発することをより困難にすることだ」と説明した。さらに、「米政府は初期段階の技術が商用化される前に中国のアクセスを阻止することだ」と付け加えた。 一方、サムスン電子と台湾TSMC、NVIDIA、インテルなどは来年、GAA技術を適用した半導体を大量に生産する計画を立てている。
米バイデン政権、次世代トランジスタGAAと高帯域メモリHBM…中国への新規制が迫る ジョー・バイデン（Joe Biden）アメリカ合衆国大統領が率いる米政府は、次世代トランジスタゲートオールアラウンド(GAA・Gate All Around)と高帯域幅メモリ(HBM)の中国規制カードを引き出す見込みだ。中国がAI半導体など最先端半導体技術へアクセスすることを阻止するため、各種輸出規制措置を実施している中でのことだ。 現地時間の11日、米国のメディアは、米政府がAIに使用される半導体技術へ中国がアクセスすることを阻止するために追加規制を検討していると一斉に報じた。 米政府の中国に対する輸出制限は、半導体の既存のトランジスタ構造であるフィンフェット(FinFET)の限界を克服できる次世代技術のGAAが最初の制限対象になる可能性が高いと見られている。 これに関連して、米商務省の産業安全保障局(BIS)は最近、GAA規制の初稿を業界専門家で構成された技術諮問委員会に送った。 これは、規制導入の最終手段だが、規制自体が最終的に確定されたものではない。 業界関係者たちは、GAAの初案が過度に広範囲であると批判したと伝えられている。 GAA規制が、中国の自主的なGAAチップ開発能力を制限することに焦点を当てているのか、それとも米半導体企業をはじめ、サムスン電子や台湾TSMCなどの海外企業による対中国輸出の規制までも含まれるのか、現時点では不明だ。 米国政府は、潜在的な規則の範囲を決定する過程であり、最終的な規制がいつ決定されるかはまだ決まっていない。 情報を提供した関係者たちは、「米政府の目標は、中国がAIモデルを構築・運用するために必要な精巧なコンピューティングシステムを開発することをより困難にすることだ」と説明した。さらに、「米政府は初期段階の技術が商用化される前に中国のアクセスを阻止することだ」と付け加えた。 一方、サムスン電子と台湾TSMC、NVIDIA、インテルなどは来年、GAA技術を適用した半導体を大量に生産する計画を立てている。
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